Hersteller Produktnummer:
TIP112 TIN/LEAD
Product Overview
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Teilenummer:
TIP112 TIN/LEAD-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 100V TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 25MHz Through Hole TO-220-3
Inventar:
12789515
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Menge
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TIP112 TIN/LEAD Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2.5V @ 8mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 1A, 4V
Frequenz - Übergang
25MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Basis-Produktnummer
TIP112
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TIP112CS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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